成都计算机集成电路工艺

    出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括调节mtj器件，该调节mtj器件被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图a至图c示出了图的公开的存储器电路的读取和写入操作的一些实施例的示意图。图a至图b示出了对应于图的公开的存储器电路的集成芯片的截面图的一些实施例。图a至图b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例。该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务，诚信合作的原则，以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系，为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。图a至图b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例，该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。进口的德州集成电路，就找深圳美信美科技。成都计算机集成电路工艺

    图至图中公开的结构不限于这种方法，而且可以作为于该方法的结构而单独存在。的截面图所示，在衬底上方形成互连层a。在一些实施例中，通过在衬底上方形成层间介电(ild)层来形成互连层a。在一些实施例中，ild层可以通过一个或多个附加介电层与衬底分隔开。图案化ild层以限定沟槽。在一些实施例中，可以通过在ild层上方形成图案化的掩模层(未示出)并且实施蚀刻工艺来去除ild层的未由图案化的掩模层覆盖的各部分来图案化ild层。在沟槽内形成导电材料，以及随后是平坦化工艺(例如。化学机械平坦化工艺)以形成互连层a。在各个实施例中，衬底可以是任何类型的半导体主体(例如。硅、sige、soi等)，诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯，以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中，ild层可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中，导电材料可以包括通过沉积工艺(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如，钨、铝等)。在各个实施例中，互连层a可以是互连线层、互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。的截面图所示。通讯集成电路引脚超大规模集成电路：逻辑门1,001~10k个或 晶体管10,001~100k个。

    深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务，诚信合作的原则，以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系，为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。所述多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件，所述一个或多个调节mtj器件被配置为选择性地控制流至所述工作mtj器件的电流；以及在所述多个mtj器件上方形成互连层，其中，所述互连层和所述互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可佳理解的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图，该调节访问装置被配置为选择性地对操作磁隧道结(mtj)器件提供访问。

    在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中，在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中，在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。步骤至在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中，可以重复步骤至(如步骤所示)以在存储单元上方形成存储单元。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。虽然方法描述了包括具有调节访问装置(包括mtj器件)的存储单元(例如。mram单元)的方法存储器电路，但是应该理解，在其它实施例中，调节装置可以包括电阻器(例如，薄膜电阻器)。在这样的实施例中，工作mtj器件可以通过组操作(在步骤中)形成，而包括电阻器的调节装置可以通过组单独的操作(在步骤和步骤之间发生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步骤中)之后，可以通过一个或多个沉积和蚀刻工艺形成电阻器。因此，在一些实施例中。涉及不具有驱动晶体管(即。存取晶体管)的存储单元(例如，mram单元)。而且，存储单元包括调节访问装置。好的集成电路供应，深圳美信美科技就是牛。

    在各个实施例中，互连层a可以是互连线层、互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。的截面图所示，在互连层a的上表面上方形成多个底电极通孔。多个底电极通孔由介电层围绕。在一些实施例中，介电层可以沉积在互连层a上方，并且然后选择性地被图案化以限定底电极通孔开口。然后通过在底电极通孔开口内的沉积工艺形成多个底电极通孔。在各个实施例中，介电层可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一种或多种。在各个实施例中，多个底电极通孔可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个底电极通孔上方形成多个mtj器件、和。多个mtj器件、和分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，固定层可以形成为接触底电极通孔。在其它实施例中，自由层可以形成为接触底电极通孔。多个mtj器件、和中的一个包括被配置为存储数据状态的工作mtj器件。多个mtj器件、和中的一个或多个包括设置在调节访问装置内的调节mtj器件和，调节访问装置被配置为控制(即，调节)提供给相关的工作mtj器件的电流。在一些实施例中，可以同时形成多个mtj器件、和。例如，在一些实施例中，可以通过在介电层和多个底电极通孔上方沉积磁固定膜。靠谱的深圳市美信美科技有限公司，只做原装进口集成电路。太原大规模集成电路IC

集成电路产业还甚至延伸至设备、材料市场。成都计算机集成电路工艺

    铜通孔)连接至上面的互连层。在一些实施例中，底电极通孔和顶电极通孔可以包括金属，诸如氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、钛(ti)、钽(ta)等。在一些实施例中，互连层b从调节mtj器件正上方连续延伸至调节mtj器件正上方。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括由介电遂穿阻挡层分隔开的自由层和固定层。自由层具有被配置为响应于电信号(例如，电流)而改变的磁矩。固定层具有固定的磁取向，该磁取向被配置为用作参考磁方向和/或减少对自由层的磁冲击。在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括附加层。例如，在一些实施例中。mtj中的一个或多个可以包括位于底电极通孔和固定层之间的反铁磁层。在其它实施例中，mtj中的一个或多个可以包括以各种方式布置的附加固定层(例如，附加固定层、附加固定层等)和/或附加自由层(例如，附加自由层、附加自由层等)以改进mtj的性能。图b示出了对应于图的存储器阵列的集成芯片的一些可选实施例的截面图。集成芯片包括布置在衬底上方的介电结构。介电结构围绕存储单元a,。存储单元a,包括工作mtj器件和具有调节mtj器件和调节mtj器件的调节访问装置。介电结构还围绕多个导电互连层a至f。多个导电互连层a至f包括互连层a。成都计算机集成电路工艺