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雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、PIN、PNN(或NPP)、PNIN(或NPIP)、MNN。其中PNN结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是1970年以后出现的，其结构为PPNN，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。跨阻光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。射频光电科技

雪崩二极管能以多种模式产生振荡，其中主要有碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)模式，简称崩越模式。其基本工作原理是：利用半导体PN结中载流子的碰撞电离和渡越时间效应产生微波频率下的负阻，从而产生振荡。另一种重要的工作模式是俘获等离子体雪崩触发渡越时间(TRAPATT)模式,简称俘越模式。这种模式的工作过程是在电路中产生电压过激以触发器件，使二极管势垒区充满电子-空穴等离子体，造成器件内部电场突然降低,而等离子体在低场下逐渐漂移出势垒区。因此这种模式工作频率较低，但输出功率和效率则大得多。除上述两种主要工作模式以外，雪崩二极管还能以谐波模式、参量模式、静态模式以及热模式工作。IV光电定制绵阳在线光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

两个光电二极管之间的电路结构简单，可以用一个偏置电容来加强两个光电二极管之间的电压比例。当电容小于某个电压时，这两个光电二极管就会被压成一个接触，这个接触就叫做雪崩，由此可以看出，这就是雪崩光电二极管的来源。当一个电信号经过两个光电二极管的同一根输入线时，两个光电二极管的偏置电压和信号的输出电流可以产生强烈的对比度，有较大的截止电压差。因此，雪崩光电二极管可以作为高速和高性能的光电门用于高速连接器和网络设备领域。雪崩光电二极管具有高速、高抗干扰、高测试特性，可以快速捕捉工程负载中容易破坏的脉冲。

光电转换器是一种将光信号转换为电信号或将电信号转换为光信号的器件。它是光通信系统中的组件之一，用于实现光信号与电信号之间的相互转换。光电转换器通常分为两种类型：光电二极管和光电晶体管。光电二极管是一种将光信号转换为电信号的器件，其工作原理是利用半导体材料的光电效应将光信号转换为电信号。光电晶体管则是一种将电信号转换为光信号的器件，其工作原理是利用半导体材料的PN结来实现电信号到光信号的转换。光电转换器广泛应用于光通信系统、光传感器、光存储器等领域。在光通信系统中，光电转换器通常用于将光信号转换为电信号，以便进行信号的处理和调制；在光传感器中，光电转换器通常用于将光信号转换为电信号，以便进行光强、颜色等参数的检测；在光存储器中，光电转换器则用于将电信号转换为光信号，以便进行光存储。总之，光电转换器是一种将光信号转换为电信号或将电信号转换为光信号的器件，是光通信系统和其他光相关领域中不可或缺的组件。重庆红外光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

光电二极管可以在两种非常不同的模式下工作。光伏模式：像太阳能电池一样，被照亮的光电二极管产生一个可以测量的电压。然而，该电压对光功率的依赖性是非线性，而且动态范围相当小。另外，也没有达到速度。光导模式：在这里，对二极管施加反向电压（即在没有入射光线的情况下二极管不导电的方向施加电压），并测量由此产生的光电流。该反向偏置模式的简单解决方案是基于一个电压源和一个负载电阻。光电流对光功率的依赖性在光功率的六个或更多数量级上可以是非常线性的，例如，对于活性面积为几平方毫米的硅p-i-n光电二极管来说，其范围从几纳瓦到几十毫瓦。反向电压的大小对光电流几乎没有影响，而对暗电流（通常很小）（在没有光的情况下获得）有一些影响。较高的反向电压往往会使反应更快，但也会增加器件的加热，这对高光电流来说是个问题。广州滨松光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。射频光电科技

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与其他光电二极管相比，雪崩光电二极管在高反向偏置条件下工作。因此，通过光撞击或光子形成的电荷载流子使雪崩倍增。雪崩作用可使光电二极管的增益提高数倍，以提供高灵敏度范围。雪崩击穿主要发生在光电二极管承受最大反向电压时，该电压增强了耗尽层之外的电场。当入射光穿透p+区域时，它会在电阻极大的p区域内被吸收，然后生成电子-空穴对。只要存在高电场，电荷载流子包括其饱和速度就会漂移到pn+区域。当速度高时，载流子将通过其他原子碰撞并产生新的电子-空穴对，巨大的电荷载流子对将导致高光电流。射频光电科技