成都电力晶体管
芯片制造过程共分为七大生产区域，分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光、金属化，光刻和刻蚀是其中**为**的两个步骤。
而晶体管就是通过光刻和蚀刻雕刻出来的，光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。
刻蚀是使用化学或者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的***侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀环节是复制掩膜图案的关键步骤.
而其中，还涉及到的材料就是光刻胶，我们要知道电路设计图首先通过激光写在光掩模板上，然后光源通过掩模板照射到附有光刻胶的硅片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学效应，再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域，使掩模板上的电路图转移到光刻胶上，***利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。
vt是一个npn型三极管，起放大作用。成都电力晶体管
***个晶体管原理图和外观--**手工打造的三极管
由此，物理学家开始考虑如何能够将器件从三维结构改变成二维的结构。多年之后，包括Westen Electric, RCA，GE等公司开发出结型二维晶体三极管。这种晶体管的性能超过了**早的点接触型的晶体三极管。
世界上***个结型晶体三极管
晶体管发明人之一Walter H. Brattain因其贡献和Bardeen、Shockley三人共同荣获了1956年物理诺贝尔奖。也许Brattain在贝尔实验室团队中显得**没有什么才气，性格低调。
在他获奖感言的一开始就说到：“首先我要说的是，在为能够分享这份诺贝尔物理奖”感到无比荣耀的同时，也意识到我只不过是作为为此作出贡献的众多成员的一个**。没有他们的工作和努力，我不会有机会来这儿领奖。”
成都参数晶体管而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
三极管的介绍及用途如下 *
三极管的介绍：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的**元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三、单结晶体管振荡器
1.单结晶体管振荡器电路
在电子电路中，常常利用单结晶体管的负阻特性和RC电路的充放电特性，组成非正弦波脉冲振荡电路，单结晶体管振荡电路如图6a所示。图中，R、C为充放电元件，V为单结晶体管，Rb1、Rb2为基极电阻，其中Rb2为限流电阻，Rb1是负载电阻，其两端产生的电压降就是振荡输出信号。
2.单结晶体管振荡电路的工作原理
单结晶体管振荡电路的工作原理如下。当开关S闭合后，电源Ucc接入电路中，单结晶体管的b2经电阻Rb2与电源的正极相连，b1经电阻Rb1与电源的负极相接，即b2、b1之间加上了一个正电压。同时，电源Ucc还通过电阻R对电容C进行充电，电容两端的电压Uc随时间按**规律上升，充电时间常数τ=RC。
当电容两端的电压Uc，即发射极所加的电压Ue＜Up峰点电压时，单结晶体管的Ie电流为很小的反向漏电电流，单结晶体管是处于截止状态的，其e、b1极之间的等效阻值非常大，电阻Rb1上无电流通过，输出电压Uo=0，即无脉冲信号输出
晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型.
单结晶体管型号命名方式
单结晶体管封装及引脚识别
单结晶体管采用金属直插封装，在其引脚端有引脚识别标志。面向引脚，靠近凸起的为发射极E，逆时针方向分别为第二基极B2和***基极B1。
单结晶体管实物
单结晶体管引脚排序
单结晶体管应用电路
以电子驱蚊器电路为例，了解单结晶体管的应用。
超声波驱蚊器电路
以上为单结晶体管BT33构成的电子驱蚊器电路图，其工作原理为：
当电源开关SW闭合后，电池正极通过可调电阻RP和固定电阻R1向电容C1充电，当C1两端电压达到BT33的峰点电压时，单结晶体管导通，此时C1会通过电阻R3放电，单结晶体管截止；
电池正极再次通过电阻向C1充电，当电压达到峰点电压后，晶体管再次导通。如此反复形成震荡，震荡频率由电阻RP和电容C1的值决定；
震荡信号经过电容C2耦合之后加到三极管VT2的基极，经VT2放大后，经电容C3耦合驱动压电陶瓷片发出超声波来达到驱蚊的效果。
三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止，这就是三极管的开关作用（开关特性）。中山电子管晶体管
1947年贝尔实验室发表了***个以锗半导体做成的点接触晶体管。成都电力晶体管
1) 基极有电流流动时。由于B极和E极之间有正向电压，所以电子从发射极向基极移动，又因为C极和E极间施加了反向电压，因此，从发射极向基极移动的电子，在高电压的作用下，通过基极进入集电极。于是，在基极所加的正电压的作用下，发射极的大量电子被输送到集电极，产生很大的集电极电流。
（2）基极无电流流动时。在B极和E极之间不能施加电压的状态时，由于C极和E极间施加了反向电压，所以集电极的电子受电源正电压吸引而在C极和E极之间产生空间电荷区，阻碍了从发射极向集电极的电子流动，因
而就没有集电极电流产生。
综上所述，在晶体三极管中很小的基极电流可以导致很大的集电极电流，这就是三极管的电流放大作用。此外，三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止，这就是三极管的开关作用（开关特性）。
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